DMC3021LSDQ-13

功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO

制造商:diodes incorporated

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A,7A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):16.1nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):767pF @ 10V

功率 - 最大值:2.5W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

标准包装:1

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